BYTe Semiconductor

BYTe Semiconductor est une société de conception de circuits intégrés sans usine qui se concentre sur la recherche, le développement, la promotion et la vente de produits de mémoire non volatile. Utilisant à la fois les technologies de mémoire Flash ETOX et SONOS, BYTe Semiconductor a développé des dispositifs SPI NOR Flash avec des densités de 512 Ko à 2 Go et des produits Parallel NOR Flash comprenant 1 Go et 2 Go. En 2024, BYTe Semiconductor élargira sa gamme de produits pour inclure la mémoire Flash SLC NAND et pourra en outre fournir des produits et des services de conception personnalisés à ses clients. Depuis sa création, BYTe Semiconductor a continuellement investi dans la recherche et le développement, mis l'accent sur l'innovation et favorisé les percées technologiques. offrir aux clients des produits et des services de haute qualité. De plus, nous nous concentrons sur le marketing, la gestion de la relation client, la réactivité et le service client, afin de proposer des produits offrant le meilleur rapport qualité-prix du secteur de la mémoire.

Circuits intégrés (CI)

Pièces détachées concernées

BY25Q80BSMIG(R)

8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40

BY25Q32ESWIG(R)

32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4

BY25Q32CSSIG(T)

32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4

BY25Q64ASSIG(R)

64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4

BY25D16ASTIG(R)

16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4

BY25Q80BSSIG(R)

8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40

BY25Q128ESWIG(R)

128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -

BY25Q64ESTIG(R)

64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4

BY25Q128ASWIG(R)

128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -

BY25D16ASSJG(R)

16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4

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