CGD65A130S2-T13

CGD65A130S2-T13

Numéro de pièces
CGD65A130S2-T13
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricants
Cambridge GaN Devices
Décrire
650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN8X8.
Encapsulé
-
Emballage
Bande et bobine (TR)
État de RoHS
Yes
Prix
USD $2.6560
Tableau de données
-
Quantité
Le RFQ
Les stocks: 3362
Le plus petit : 3500
Multiplié : 1
Quantité
Prix unitaire
Prix
1
$5.0000
$5.0000
10
$4.2880
$42.8800
100
$3.5680
$356.8000
500
$3.1520
$1,576.0000
1000
$2.8400
$2,840.0000
3500
$2.6560
$9,296.0000
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Achat et demande de prix
Spécifications
Transport
Tableau de données
TAPERDESCRIPTION
FabricantCambridge GaN Devices
SérieICeGaN™
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/Caisse16-PowerVDFN
Type de montageSurface Mount
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieGaNFET (Gallium Nitride)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C12A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs182mOhm @ 900mA, 12V
Fonctionnalité FETCurrent Sensing
Vgs(e) (Max) @ Id4.2V @ 4.2mA
Package d'appareil du fournisseur16-DFN (8x8)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)12V
Vgs (Max)+20V, -1V
Tension drain-source (Vdss)650 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs2.3 nC @ 12 V

Coûts de transport


Les frais d'expédition commencent à 40 USD, mais dans certains pays, ils dépassent 40 USD. Par exemple (Afrique du Sud, Brésil, Inde, Pakistan, Israël, etc.)
Les frais d'expédition de base (paquets ≤ 0,5 kg ou volume équivalent) dépendent du fuseau horaire et du pays.


Méthode d'envoi


Actuellement, nos produits sont expédiés par DHL, FedEx, SF et UPS.


Temps de livraison


Après l'expédition de la marchandise, le délai de livraison estimé dépend du mode de transport que vous choisissez:

FedEx International, 5-7 jours ouvrables.

Veuillez entrer ci-dessous les heures de logistique pour certains pays courants.

transport

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