FBG20N18BSH

FBG20N18BSH

Numéro de pièces
FBG20N18BSH
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricants
EPC Space
Décrire
GAN FET HEMT 200V 18A 4FSMD-B
Encapsulé
-
Emballage
En gros
État de RoHS
No
Prix
USD $314.2000
Tableau de données
Quantité
Le RFQ
Les stocks: 61
Le plus petit : 1
Multiplié : 1
Quantité
Prix unitaire
Prix
1
$314.2000
$314.2000
10
$302.3920
$3,023.9200
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Achat et demande de prix
Spécifications
Transport
Tableau de données
TAPERDESCRIPTION
FabricantEPC Space
Sériee-GaN®
EmballerEn gros
État du produitACTIVE
Colis/Caisse4-SMD, No Lead
Type de montageSurface Mount
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
TechnologieGaNFET (Gallium Nitride)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C18A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs28mOhm @ 18A, 5V
Vgs(e) (Max) @ Id2.5V @ 3mA
Package d'appareil du fournisseur4-SMD
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)5V
Vgs (Max)+6V, -4V
Tension drain-source (Vdss)200 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs7 nC @ 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds900 pF @ 100 V

Coûts de transport


Les frais d'expédition commencent à 40 USD, mais dans certains pays, ils dépassent 40 USD. Par exemple (Afrique du Sud, Brésil, Inde, Pakistan, Israël, etc.)
Les frais d'expédition de base (paquets ≤ 0,5 kg ou volume équivalent) dépendent du fuseau horaire et du pays.


Méthode d'envoi


Actuellement, nos produits sont expédiés par DHL, FedEx, SF et UPS.


Temps de livraison


Après l'expédition de la marchandise, le délai de livraison estimé dépend du mode de transport que vous choisissez:

FedEx International, 5-7 jours ouvrables.

Veuillez entrer ci-dessous les heures de logistique pour certains pays courants.

transport

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