SCT012H90G3AG

SCT012H90G3AG

Numéro de pièces
SCT012H90G3AG
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricants
STMicroelectronics
Décrire
H2PAK-7
Encapsulé
-
Emballage
Bande et bobine (TR)
État de RoHS
Yes
Prix
USD $24.0480
Tableau de données
-
Quantité
Le RFQ
Les stocks: 10
Le plus petit : 1000
Multiplié : 1
Quantité
Prix unitaire
Prix
1000
$24.0480
$24,048.0000
Modèle de remplacement
SCT012H90G3AG
意法-ST
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
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Achat et demande de prix
Spécifications
Transport
Tableau de données
TAPERDESCRIPTION
FabricantSTMicroelectronics
Série-
EmballerBande et bobine (TR)
État du produitACTIVE
Colis/CaisseTO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Type de montageSurface Mount
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
TechnologieSiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Type FETN-Channel
Courant - Drain continu (Id) à 25°C110A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs15.8mOhm @ 60A, 18V
Dissipation de puissance (maximum)625W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id4.2V @ 10mA
Package d'appareil du fournisseurH2PAK-7
GradeAutomotive
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)15V, 18V
Vgs (Max)+18V, -5V
Tension drain-source (Vdss)900 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs138 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds3880 pF @ 600 V
QualificationAEC-Q101

Coûts de transport


Les frais d'expédition commencent à 40 USD, mais dans certains pays, ils dépassent 40 USD. Par exemple (Afrique du Sud, Brésil, Inde, Pakistan, Israël, etc.)
Les frais d'expédition de base (paquets ≤ 0,5 kg ou volume équivalent) dépendent du fuseau horaire et du pays.


Méthode d'envoi


Actuellement, nos produits sont expédiés par DHL, FedEx, SF et UPS.


Temps de livraison


Après l'expédition de la marchandise, le délai de livraison estimé dépend du mode de transport que vous choisissez:

FedEx International, 5-7 jours ouvrables.

Veuillez entrer ci-dessous les heures de logistique pour certains pays courants.

transport

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